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射频电源是产生高频交流电的装置，核心工作是激发并控制等离子体。它通过功率放大和关键的阻抗匹配技术，将能量高效传递给动态变化的等离子体负载。作为高端制造的核心设备，它广泛应用于半导体刻蚀、薄膜沉积、等离子清洗等精密工艺，是现代电子工业不可或缺的“能量心脏”。
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标准Halfrack/ fullrack设计
具备多级脉冲、相位同步、BVC、HALO、ARC、Ramp、 Tuning、Fast data、Ignition 、Power Calibrate等高级功能
扫频匹配时间小于100ms
响应时间小于2ms/3ms
脉冲频率范围10Hz-10kHz
采用模块化、开放式工业通信架构，全面集成RS485/232、Profibus、EtherCAT、以太网及模拟量接口。
配备高速SDRAM，可实现单点采样间隔低至 1微秒 的实时数据捕获，为高精度波形分析与瞬态响应研究提供了高分辨率的数据保障。
支持 Display screen，实现参数调节，交互性强。
具备负载匹配优化（Load）、 前向功率精确控制（Forward）、直流偏置叠加（VDC/VAC）三种核心工作模式。
半导体
MEMS制程中的刻蚀、化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积等
| 工作频率 | 功率 | 冷却方式 | 尺寸 | 通讯接口 | 通讯接口（可选） |
|---|---|---|---|---|---|
| 40kHz | 200W 500W 1000W 1250W | 风冷＋水冷 | 89mm(高) 482mm(宽) 534mm(深) | RS232 RS485 Ethernet | Analog. EtherCAT. DeviceNet. Profibus. Modbud |
| 200kHz | 10000W | 风冷＋水冷 | 132mm(高) 483mm(宽) 640mm(深) | ||
| 400kHz | 200W 500W 900W 1000W 1250W 1500W 3000W | 风冷＋水冷 | 132mm(高) 215mm(宽) 444mm(深) | ||
| 5000W 6000W | 风冷＋水冷 | 132mm(高) 483mm(宽) 577mm(深) | |||
| 10000W 11000W | 风冷＋水冷 | 132mm(高) 483mm(宽) 640mm(深) | |||
| 2MHz | 1000W | 风冷 | 132mm(高) 214mm(宽) 430mm(深) | ||
| 3000W | 风冷＋水冷 | 132mm(高) 216mm(宽) 500mm(深) | |||
| 5000W | 风冷＋水冷 | 132mm(高) 441mm(宽) 577mm(深) | |||
| 11000W | 风冷＋水冷 | 220mm(高) 475mm(宽) 684mm(深) | |||
| 13.56MHz | 200W 300W 600W 1000W 1250W 1500W 3000W 5000W | 风冷＋水冷 | 133mm(高) 216mm(宽) 442mm(深) | ||
| 6000W 8000W 11000W 12000W | 风冷＋水冷 | 128mm(高) 436mm(宽) 580mm(深) | |||
| 27.12MHz | 3000W 6000W | 风冷＋水冷 | 132mm(高) 216mm(宽) 444mm(深) | ||
| 40.68MHz | 1000W 3000W | 风冷＋水冷 | 133mm(高) 216mm(宽) 500mm(深) | ||
| 6000W 7000W 12000W | 风冷＋水冷 | 133mm(高) 483mm(宽) 580mm(深) | |||
| 60MHz | 3000W 7000W | 风冷＋水冷 | 132mm(高) 216mm(宽) 500mm(深) |
